周期中斷子程序和下溢中斷子程序執(zhí)行流程圖，在每一個(gè)周期中分別發(fā)生一次周期中斷和下溢出中斷，每進(jìn)入中斷一次分別更新兩個(gè)比較寄存器的值，相應(yīng)的輸出PWM波的移相也每一個(gè)周期都更新。在解決了具有移相角度差的PWM信號的產(chǎn)生問題后，需要解決的另一個(gè)問題是怎樣應(yīng)用采集到的電壓信號和電流信號來實(shí)時(shí)動態(tài)控制移相角的大小，形成閉環(huán)反饋從而得到我們所需的滿足動態(tài)性能的高精度電流電壓信號。PID閉環(huán)反饋系統(tǒng)的設(shè)計(jì)一直是補(bǔ)償電源**關(guān)鍵的部分，補(bǔ)償系統(tǒng)設(shè)計(jì)的好壞直接關(guān)系到補(bǔ)償電源穩(wěn)恒。將電流限值在毫安級，此電流經(jīng)過多匝繞組之后。上?；煞秩蓦妷簜鞲衅鲝S家供應(yīng)

磁現(xiàn)象是物理界中**為基本的現(xiàn)象之一，人們發(fā)現(xiàn)，在磁場中，原子、分子的電子態(tài)能量和磁矩都發(fā)生了變化，于是在科學(xué)研究中，很多的實(shí)驗(yàn)都將磁場環(huán)境作為實(shí)驗(yàn)的研究背景，磁場也成為了許多科學(xué)研究的基本工具。在以強(qiáng)磁場為實(shí)驗(yàn)環(huán)境的研究領(lǐng)域，人們已經(jīng)取得了眾多重大的科研成果，強(qiáng)磁場在現(xiàn)代科學(xué)研究中占有越來越重要的位置。作為一種極端的科學(xué)研究條件，強(qiáng)磁場在高溫超導(dǎo)體、材料學(xué)、原子分子研究、化學(xué)以及生命科學(xué)等領(lǐng)域的研究都提供了極端的研究環(huán)境。除了科學(xué)研究領(lǐng)域，強(qiáng)磁場在工業(yè)工程領(lǐng)域也發(fā)揮著重要作用。因此對強(qiáng)磁場的研究無論是對于我們探索自然奧秘，還是促進(jìn)人類文明進(jìn)步都有極其重要的意義。寧波內(nèi)阻測試儀電壓傳感器價(jià)格大全通過參考電阻或傳感器產(chǎn)生的電壓被緩沖，然后給予放大器。

根據(jù)實(shí)際工作過程分析，超前橋臂上開關(guān)管開通過程中，原邊電路保持向負(fù)載端輸送能量，則負(fù)載端濾波電感等效于和原邊諧振電感串聯(lián)，這樣對超前橋臂上兩個(gè)諧振電容充放電的能量由原邊諧振電感和負(fù)載端濾波電感共同提供，這樣能量關(guān)系式很容易滿足[6]。時(shí)間關(guān)系式只需要適當(dāng)增大死區(qū)時(shí)間即可，超前橋臂上開關(guān)管的零電壓開通很容易實(shí)現(xiàn)。滯后橋臂上開關(guān)管開通過程中，橋臂上諧振電容的充放電能量**來自于諧振電感，并且在此過程中電源相當(dāng)于是負(fù)載吸收諧振電感中的儲能，電流處于減小的狀態(tài)，從而滯后橋臂上開關(guān)管的零電壓開通實(shí)現(xiàn)難度增大。

本項(xiàng)目逆變橋臂上有4個(gè)開關(guān)管，對應(yīng)需要四個(gè)**的驅(qū)動電路?？蛇x用的驅(qū)動電路有很多種，以驅(qū)動電路和IGBT的連接方式可以將驅(qū)動電路分為直接驅(qū)動、隔離驅(qū)動和集成化驅(qū)動。在此我們采用集成化驅(qū)動，因?yàn)橄鄬τ诜至⒃?gòu)成的驅(qū)動電路，集成化驅(qū)動電路集成度更高、速度快、抗干擾強(qiáng)、有保護(hù)功能模塊，并且也減小了設(shè)計(jì)的難度[25]。**終選用集成驅(qū)動電路M57962，如圖4-3和4-4所示為M57962L驅(qū)動電路和驅(qū)動信號放大效果圖。M57962 是 N 溝道大功率 IGBT 驅(qū)動電路，可以驅(qū)動 1200V/400A 大功率 IGBT， 采用快速型光耦合器實(shí)現(xiàn)電氣隔離，輸入輸出隔離電壓高達(dá) 2500V。板之間的磁場將創(chuàng)建一個(gè)完整的交流電路沒有任何硬件連接。

圖3-6和圖3-7所示分別為輸出端電壓值和電壓紋波（圖中橫縱坐標(biāo)分別為時(shí)間和電壓），經(jīng)過PID閉環(huán)反饋后，輸出電壓值的紋波系數(shù)可達(dá)0.16%。因?yàn)楸痉抡鎸?shí)驗(yàn)中只加入了電壓單閉環(huán)反饋，進(jìn)一步提高精度需要再在外環(huán)加入電流反饋環(huán)。仿真電路很好的驗(yàn)證了試驗(yàn)參數(shù)計(jì)算的正確性和合理性，在本電路的初步設(shè)計(jì)中可以按照仿真電路中參數(shù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)電路的搭建。傳統(tǒng)的控制技術(shù)多是以模擬電路為基礎(chǔ)的，其固有的缺陷是顯而易見的， 比如 電路本身復(fù)雜、模擬器件本身存在差異性、溫漂明顯、不可編程性?；谶@些固有 的缺點(diǎn)，數(shù)字化的控制技術(shù)優(yōu)勢便展現(xiàn)出來。其大致原理是原邊電壓通過外置或內(nèi)置電阻。南京粒子加速器電壓傳感器發(fā)展現(xiàn)狀

霍爾電壓傳感器體積小、線性度好、響應(yīng)時(shí)間短，但測試帶寬窄，測量精度不高。上海化成分容電壓傳感器廠家供應(yīng)

對于前端儲能電容還需要考慮的參數(shù)是其耐壓值，直流母線上電壓峰值為373v，留一定裕量，可以選擇耐壓值為500v的電解電容作為儲能電容。在電力電子變換和控制電路中，都是以各種電力半導(dǎo)體器件為基礎(chǔ)的。我們在設(shè)計(jì)電路時(shí)，也有很多可供選擇的電力半導(dǎo)體器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每種元件都有其自身特點(diǎn)以及**適合應(yīng)用場合。例如MOSFET開關(guān)頻率高，動態(tài)響應(yīng)速度快，但其電流容量相對小，耐壓能力低，適用于低功率、高頻的場合[13][14]。門級可關(guān)斷晶閘管具有自關(guān)斷能力、電流容量大、耐壓能力好，適用于大功率逆變場合。IGBT的性能相對來說是介于兩者之間，有較高的工作頻率（20K以上），有較大的電流容量和較好的耐壓能力。在本實(shí)驗(yàn)中，裝置的功率在10kW以下，頻率在20K以下可以滿足要求，故而綜合考慮選用全控、壓控型器件IGBT作為開關(guān)管。上?；煞秩蓦妷簜鞲衅鲝S家供應(yīng)